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PD芯片
CMOSI艺兼容
特殊定制工艺
高光电转换效率
背光照技术
特殊定制工艺
高光电转换效率
背光照技术
外形尺寸（单位：毫米）
详情以产品手册为准
产品特点
100μm像素尺寸
600×600像素矩阵
10kGy长辐照寿命
应用领域
- 电子部件检测
- 显微CT
- 锂电池检测
- 铸造件检测
- 汽车、航天、电子制造质量控制
技术参数
CMOS Process Compatibility
Customized Fabrication Processes
High Photoelectric Conversion Efficiency
Backlighting Technology