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Merak2121
X射线动态平板探测器
Merak2121 系列 X 射线动态平板探测器基于先进的 CMOS 成像技术，具有高速、高分辨率和低噪声成像的特点。探测器具有暗场实时更新功能，在移动 C 臂中 1x1 模式应用于局部高清拍摄，2x2 binning 模式用于透视。预期应用但不限于移动 C形臂、口腔 CBCT 等场景。探测器配备标准的 GigE Vision 协议，使用户获取数据更加便捷。
产品特点
135µm像素尺寸
1504×1560像素矩阵
应用领域
- 移动C型臂
- 牙科CBCT及全景成像
- 其他专科CBCT
技术参数
传感器
类型
CMOS
像素尺寸
135µm
像素矩阵
1504×1560
有效面积
203×211mm²
闪烁体
CsI
能量范围
40kV～125kV
功能
采集模式
连续触发/触发模式
触发模式
内触发/外触发
ROI
自定义任意尺寸
其他
接口
RJ45（以太网协议接口，GigE 1G）
电源
DC(12V~24V)±10%
功耗
≤15W
使用环境
+10ºC~+40ºC
存储环境
-20ºC~+55ºC
产品比较
比较
| 型号 | 类型 | 像素尺寸 | 像素矩阵 | 有效面积 | 帧速率 | 闪烁体 | 辐照寿命 | 能量范围 | 采集模式 | 触发模式 | ROI | 接口 | 电源 | 功耗 | 使用环境 | 存储环境 | 重量 | 外型尺寸(W×L×H) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Merak1313 | CMOS | 100μm | 1280×1280 | 128×128 mm² | CsI | 40kV～120kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1412 | CMOS | 100μm | 1404×1204 | 140.4×120.4mm² | CsI | 40kV～120kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1215A | CMOS | 49.5μm | 2940×2342 | 115.9×145.5 mm² | CsI | 20kV～90kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC12V±10% | ≤6W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1613S | a-Si (TFT) | 125μm | 1274×1024 | 159.3×128 mm² | CsI | 40kV～125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口，GigE 1G) | DC24V±10% | ≤12W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1615 | CMOS | 100µm | 1600×1500 | 160×150mm² | CsI | 40kV～125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | X×Y [X列数、Y行数，X、Y=2n，最小为16] | RJ45 (以太网协议接口，GigE 1G) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1917Z | IGZO (TFT) | 120µm | 1536×1386 | 184.3×166.3mm² | CsI | 40kV～125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45（以太网协议接口，GigE 1G） | DC24V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak3030 | CMOS | 100µm | 3240×3000 | 324×300mm² | CsI | 40kV～125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45（以太网协议接口，GigE 10G） | DC24V±10% | ≤30W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak3030Z | IGZO (TFT) | 148µm | 2048×2048 | 303.1×303.1mm² | Csl | 40kV～125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45（以太网协议接口，GigE 10G） | DC24V±10% | ≤20W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak3040 | CMOS | 100µm | 4320×3000 | 432×300mm² | CsI | 40kV～125kV | 连续模式/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45（以太网协议接口，GigE 10G） | DC24V±10% | TBD | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC |