Pheda1215A
X射线动态平板探测器
Pheda1215A 系列 X 射线动态平板探测器基于先进的 CMOS 成像技术,具有高速、高分辨率和低噪声成像的特点,可广泛应用于电子部件检测、显微 CT、锂电池检测、铸造件检测、汽车航空电子制造质量控制等多种工业无损检测领域。探测器配备标准的 GigE Vision 协议,使用户获取数据更加便捷。
外形尺寸(单位:毫米) 详情以产品手册为准
产品特点
49.5μm像素尺寸
2940×2342像素矩阵
10 kGy长辐照寿命
应用领域
- 电子部件检测
- 显微CT
- 锂电池检测
- 铸造件检测
- 汽车、航天、电子制造质量控制
电子部件检测
显微CT
锂电池检测
铸造件检测
汽车、航天、电子制造质量控制
技术参数
传感器
类型
CMOS
像素尺寸
49.5μm
像素矩阵
2940×2342
有效面积
145.5×115.9 mm2
帧速率
8fps@1×1;16fps@2×2 binning
闪烁体
CsI
辐照寿命
10kGy
能量范围
40kV~160kV
功能
采集模式
连续触发/触发模式
触发模式
内触发/外触发
ROI
自定义任意尺寸
其他
接口
RJ45 (以太网协议接口)
电源
DC12V±10%
功耗
≤6W
使用环境
+10ºC~+40ºC
存储环境
-20ºC~+60ºC
重量
3.0 kg
外型尺寸(W×L×H)
203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±1)mm
产品比较
比较
型号 类型 像素尺寸 像素矩阵 有效面积 帧速率 闪烁体 辐照寿命 能量范围 采集模式 触发模式 ROI 接口 电源 功耗 使用环境 存储环境 重量 外型尺寸(W×L×H)
Pheda3030 CMOS 100μm 3000×3000 300×300mm² ≥50fps@1×1; ≥100fps@2×2 CsI 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC24V±10% ≤30W ~4 kg 372(±0.5)mm×350(±0.5)mm×46(±1)mm
Pheda1917Z IGZO(TFT) 120μm 1386×1536 166.3×184.3mm² 25fps@1×1; 60fps@2×2 binning CsI 20kGy 40kV~230kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC24V±10% ≤4W ~2.5 kg 203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±1)mm
Pheda1613D a-Si(TFT) 125μm 1274×1024 160×128mm² ≥30fps@1×1;≥60fps@2×2; ≥300fps@全景模式(8 mm) CsI 20kGy 40kV~230kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC24V±10% ≤12W +5ºC~+35ºC -20ºC~+60ºC ~1.25 kg 195.8mm×170mm×42.4mm
Pheda1412-5G CMOS 100µm 1404×1204 140.4×120.4mm² ≥60fps@1×1; ≥120fps@2×2 binning CsI 20kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤15W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC ~2.7 kg 200(±0.5)mm×198(±0.5)mm×43(±1)mm
Pheda1207 CMOS 100µm 1200×720 120.0×72.0mm² ≥30fps@1×1; ≥120fps@2×2 binning CsI/GOS 20kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC ~3.0 kg 203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±0.5)mm
Pheda1512 CMOS 100µm 1440×1120 144.0×112.0mm² ≥30fps@1×1; ≥120fps@2×2 binning CsI/GOS 20kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC ~3.0 kg 203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±0.5)mm
Pheda1412 CMOS 100µm 1404×1204 140.4×120.4mm² ≥30fps@1×1; ≥120fps@2×2 binning CsI/GOS 20kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC ~3.0 kg 203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±0.5)mm
Pheda0606A CMOS 49.5μm 1172×1260 58.0×62.4 mm2 18fps@1×1; 36fps@2×2 binning CsI 10kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45(以太网协议接口) DC12V±10% ≤4W +10ºC~+40ºC -20ºC~+55ºC ~2.5kg 203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±1)mm
Pheda1313 CMOS 100µm 1280×1280 128.0×128.0mm² ≥30fps@1×1; ≥120fps@2×2 binning CsI/GOS 20kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC ~3.0 kg 203(±0.5)mm×190(±0.5)mm×56(±0.5)mm
比较
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